RJP63K2 Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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RJP63K2 Détails du produit

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

4. Low leak current: ICES= 1 A max

5. Isolated package TO-220FL

Numéro de pièce similaire - RJP63K2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	RJP63K2DPK-M0	160Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Description similaire - RJP63K2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	RJH1CF7RDPQ-80	105Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
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	RJP63K2DPK-M0	160Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High speed power switching
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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