V10PL45-M3/87A Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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V10PL45-M3/87A Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	V10PL45-M3/87A

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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V10PL45-M3/87A Détails du produit

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling, and polarity protection applications.

Numéro de pièce similaire - V10PL45-M3/87A

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V10PL45-M3	88Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Dec-13
	V10PL45-M3	103Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A Revision: 30-Oct-2019
	V10PL45-M3	86Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Dec-13
	V10PL45-M3	103Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A Revision: 30-Oct-2019

Description similaire - V10PL45-M3/87A

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	V10P45-M3	84Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 06-May-15
	V10PN50-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V12P45-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 05-May-15
	V15PM12	78Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 03-Jul-15
	V20PW10	120Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V20PW10C	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
	V6KM45DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 1.5 A 26-Jul-2018
	V8KM60DU	135Kb / 5P	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 2 A 18-Jul-2018

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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