RD2004LN Fiches technique(PDF) - Sanyo Semicon Device

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RD2004LN Fiches technique (PDF) - Sanyo Semicon Device

RD2004LN Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


No de pièce	RD2004LN

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode

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Fabricant	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Description	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode

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RD2004LN Détails du produit

Diffused Junction Silicon Diode
Ultrahigh-Speed Switching Diode

Features
• High breakdown voltage (VRRM=400V).
• High reliability.
• One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
• Fast reverse recovery time.
• Low noise at the time of reverse recovery.

Numéro de pièce similaire - RD2004LN

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	RD2004LN	48Kb / 3P	Ultrahigh-Speed Switching Diode
Sanyo Semicon Device	RD2004LN	48Kb / 3P	Ultrahigh-Speed Switching Diode

Description similaire - RD2004LN

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sanyo Semicon Device	RD0506LS-SB5	237Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD2004LS-SB5	237Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD2004LS	45Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD1006LS	47Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD1006LS-SB5	236Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD2006LS-SB5	236Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD1004LS-SB5	236Kb / 3P	Diffused Junction Type Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode
	RD0506T	219Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Low VF - High-Speed Switching Diode
	RD0106T	468Kb / 7P	Diffused Junction Silicon Diode Low VF . High-Speed Switching Diode
	RD2003JN	192Kb / 3P	Diffused Junction Silicon Diode Low VF - High-Speed Switching Diode

À propos de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, ou Sanyo Semicon Device, était une filiale de Sanyo Electric Co., Ltd., une société d'électronique japonaise. Le dispositif Sanyo Semicon était un fabricant de dispositifs semi-conducteurs, y compris des diodes, des transistors et d'autres composants pour l'électronique grand public, l'automobile et les applications industrielles. La société a été créée en 1970 et a eu son siège à Osaka, au Japon.

Le dispositif Sanyo Semicon était connu pour ses produits de haute qualité et son engagement à répondre aux besoins de ses clients. L'entreprise s'est concentrée sur la recherche et le développement et a participé au développement de nouvelles technologies et de nouvelles produits pour l'industrie des semi-conducteurs. Les produits de Sanyo Semicon Device ont été largement utilisés dans une variété d'applications et ont aidé à soutenir la croissance de l'industrie de l'électronique.

En 2010, Sanyo Electric a été acquise par Panasonic Corporation, une société mondiale d'électronique de premier plan. En conséquence, Sanyo Semicon Device est devenu une filiale de Panasonic et a été intégrée dans son entreprise de semi-conducteurs. L'acquisition a permis à Panasonic d'élargir son portefeuille de produits et ses offres sur le marché des semi-conducteurs et de renforcer encore sa position dans l'industrie de l'électronique.

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