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1N2130A Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

1N2130A Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce 1N2130A
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Taille du fichier   274.18 Kbytes
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A

1N2130A Datasheet (PDF)

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1N2130A Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No de pièce 1N2130A
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A

1N2130A Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix

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1N2130A Détails du produit

DESCRIPTION/FEATURES
• Low leakage current series
• Good surge current capability up to 1000 A
• Can be supplied to meet stringent military, aerospace and other high reliability requirements
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC




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À propos de Vishay Siliconix


Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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