MGFS48V2527 Fiches technique(PDF)

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MGFS48V2527 Fiches technique (PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

MGFS48V2527 Datasheet PDF - Mitsubishi Electric Semiconductor


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Fabricant	MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]

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2.5 - 2.7GHz BAND 60W GaAs FET

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MGFS48V2527 Détails du produit

DESCRIPTION
The MGFS48V2527 is a 60W push-pull type GaAs Power FET especially designed for use in 2.5 - 2.7GHz band amplifiers. The hermetically sealed metal-ceramic package guarantees high reliability.

FEATURES
    Push-pull configuration
    High output power
        Pout = 60W (TYP.) @ f=2.5 - 2.7 GHz
    High power gain
        GLP = 10 dB (TYP.) @ f=2.5 - 2.7GHz
    High power added efficiency
        P.A.E. = 45 % (TYP.) @ f=2.5 - 2.7GHz

APPLICATION
2.5-2.7GHz band power amplifier

Numéro de pièce similaire - MGFS48V2527

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsubishi Electric Sem...	MGFS48V2527	443Kb / 6P	2.5 - 2.7GHz BAND 60W GaAs FET
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	MGFS45V2527	32Kb / 2P	2.5 - 2.7GHz BAND 30W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
	MGFS45A2527B	327Kb / 6P	2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
	MGFS45V2527A	250Kb / 3P	2.5 - 2.7GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
	MGFL48V1920	324Kb / 6P	1.9-2.0GHz BAND 60W GaAs FET
	MGFL48L1920	303Kb / 5P	1.9-2.0GHz BAND 60W GaAs FET
	MGFS48B2122	228Kb / 2P	2.11 - 2.17 GHz BAND 60W GaAs FET
Transcom, Inc.	TC2998E	70Kb / 2P	2.5-2.7GHz 20W Packaged GaAs Power FETs
Hexawave, Inc	HWL34YRA	94Kb / 4P	L-Band GaAs Power FET
Eudyna Devices Inc	FLC257MH-6	92Kb / 4P	C-Band Power GaAs FET

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