BC517 Fiches technique, PDF - Alldatasheet

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Fabricant

BC517 Fiches technique, PDF

Numéro de pièce trouvée : Résultats correspondant à & commançant par le terme sont "BC517" - Totale : 26 ( 1/2 Page)

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Motorola, Inc	BC517	206Kb/6P	Darlington Transistors
ON Semiconductor	BC517	82Kb/6P	Darlington Transistors March, 2007 ??Rev. 4
ON Semiconductor	BC517	148Kb/6P	Darlington Transistors(NPN Silicon) 1996
Fairchild Semiconductor	BC517	32Kb/3P	NPN Darlington Transistor
NXP Semiconductors	BC517	43Kb/8P	NPN Darlington transistor 1999 Apr 23
ON Semiconductor	BC517	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
Siemens Semiconductor G...	BC517	138Kb/4P	NPN Silicon Darlington Transistor (High current gain High collector current)
KEC(Korea Electronics)	BC517	181Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE HIGH DARLINGTON TRANSISTOR)
Micro Electronics	BC517	68Kb/1P	COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL DARLINGTON TRANSISTOR
ON Semiconductor	BC517	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
Fairchild Semiconductor	BC517	29Kb/3P	NPN Darlington Transistor
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	BC517	79Kb/1P	NPN Silicon Darlington Transistor
KEC(Korea Electronics)	BC517	31Kb/1P	TO-92 PACKAGE
KEC(Korea Electronics)	BC517	40Kb/2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
ON Semiconductor	BC517-D74Z	621Kb/6P	NPN Darlington Transistor September-2017, Rev. 2
Cystech Electonics Corp...	BC517A3	270Kb/6P	General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor
ON Semiconductor	BC517G	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
	BC517RL1	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
	BC517RL1G	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3
	BC517ZL1	71Kb/6P	Darlington Transistors NPN Silicon January, 2006 ??Rev. 3

12

12

BC517 revendeur

revendeur	No de pièce	Fabricant	Description	Price	Qty. BuyNow

Brève description de BC517

Le BC517 est un transistor de jonction bipolaire PNP à usage général (BJT) couramment utilisé pour les applications d'amplification et de commutation de faible puissance. Voici les principales caractéristiques et spécifications de la BC517:

Type de transistor: le BC517 est un transistor de jonction bipolaire PNP (BJT), ce qui signifie qu'il se compose de trois couches de semi-conducteur: n dopé (base), p-dopé (émetteur) et n dopé N (collecteur).

Amplification à faible puissance: le BC517 est généralement utilisé pour les applications d'amplification à faible puissance où une amplification d'un petit signal est requise.

Configuration PNP: Étant un transistor PNP, le BC517 fonctionne avec une tension positive à la base par rapport à l'émetteur pour un fonctionnement normal.

Faible tension collector-émetteur (VCEO): La tension maximale de collecteur-émetteur (VCEO) du BC517 est généralement d'environ -30 volts, ce qui indique son aptitude aux applications à basse tension.

Gain à courant élevé (HFE): le BC517 a généralement un gain de courant CC élevé (HFE), permettant une amplification efficace des petits signaux d'entrée.

Dissie de puissance moyenne: le BC517 est conçu pour gérer les niveaux de puissance moyens, ce qui le rend adapté aux applications où une amplification de puissance modérée est requise.

Package TO-92: Il est généralement disponible dans un package TO-92, qui offre un montage facile sur une carte de circuit imprimé (PCB) et de bonnes performances thermiques pour les applications à faible puissance.

Application: Le BC517 est couramment utilisé dans les circuits d'amplificateurs à faible puissance, les circuits de commutation de signal, les pilotes LED, les pilotes de relais et d'autres applications où une amplification ou une commutation de petit signal est nécessaire.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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