V8P45-M3 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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V8P45-M3 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	V8P45-M3

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Description	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A

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Numéro de pièce similaire - V8P45-M3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V8P45-M3/86A	104Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A Revision: 30-Oct-2019
	V8P45-M3/87A	104Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A Revision: 30-Oct-2019
	V8P45-M3	85Kb / 5P	High Current Density Surface Mountnull Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Revision: 04-May-15

Description similaire - V8P45-M3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	V8PL6-M3	92Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 4 A Revision: 27-Oct-14
	V40PW60C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V8PM12-M3	100Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A Revision: 16-Dec-14
	V8P12	88Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A Revision: 16-Dec-14
	V8P20	91Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.60 V at IF = 4 A Revision: 19-Apr-11
	V40PWM10C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V10P6-M3	95Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 5 A Revision: 04-May-15
	V40PW12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.49 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17
	V40PWM12C	121Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A Revision: 01-Jun-17

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

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