IRGP430UD2 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRGP430UD2 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRGP430UD2 Datasheet PDF - International Rectifier


No de pièce	IRGP430UD2

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)

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IRGP430UD2 Détails du produit

Description
Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifiers well known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of high-voltage, high-current, motor control, UPS and power supply applications.

Features
• Switching-loss rating includes all "tail" losses
• HEXFREDTM soft ultrafast diodes
• Optimized for high operating frequency (over 5kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

Numéro de pièce similaire - IRGP430UD2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRGP430U	256Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
International Rectifier	IRGP430U	98Kb / 35P	Fit Rate / Equivalent Device Hours

Description similaire - IRGP430UD2

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRGB430UD2	425Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRGP450UD2	85Kb / 2P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=33A)
	IRGP440UD2	436Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
	IRGB430U	253Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRGB420UD2	428Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V,Ic=7.5A)
	IRGP430U	256Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
	IRGBC20KD2	430Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A)
	IRGPC30UD2	419Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRGBC30UD2	413Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRGPC40UD2	421Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=20A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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