HGTG10N120BN Fiches technique(PDF) - Intersil Corporation

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HGTG10N120BN Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

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No de pièce	HGTG10N120BN

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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HGTG10N120BN Détails du produit

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor.

Features
• 35A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Thermal Impedance SPICE Model
   Temperature Compensating SABER™ Model
   www.intersil.com
• Related Literature
   - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
      Components to PC Boards

Numéro de pièce similaire - HGTG10N120BN

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGTG10N120BN	201Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
	HGTG10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTG10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000

Description similaire - HGTG10N120BN

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	HGT1S10N120BNST	201Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BN	217Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Unisonic Technologies	UG1N120	290Kb / 3P	1200V NPT SERIES N-CHANNEL IGBT
Fairchild Semiconductor	HGTG10N120BND	110Kb / 8P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTG10N120BND	82Kb / 7P	35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG30N120CN	113Kb / 8P	75A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Intersil Corporation	HGTD2N120CNS	89Kb / 7P	13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
Intersil Corporation	HGTG27N120BN	82Kb / 7P	72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTD1N120BNS9A	96Kb / 8P	5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Fairchild Semiconductor	HGTG11N120CN	138Kb / 7P	43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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