FSYE913A0D Fiches technique(PDF) - Intersil Corporation

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FSYE913A0D Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

FSYE913A0D Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	FSYE913A0D

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Description	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs

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FSYE913A0D Détails du produit

The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specifically designed for commercial and military space applications. Enhanced Power MOSFET immunity to Single Event Effects (SEE), Single Event Gate Rupture (SEGR) in particular, is combined with 100K RADS of total dose hardness to provide devices which are ideally suited to harsh space environments. The dose rate and neutron tolerance necessary for military applications have not been sacrificed.

Numéro de pièce similaire - FSYE913A0D

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	FSYE923A0D	70Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYE923A0D1	70Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYE923A0D3	70Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYE923A0R	70Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYE923A0R1	70Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000

Description similaire - FSYE913A0D

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	FSTJ9055D	72Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYE923A0D	70Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYC9160D	61Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs July 1998
	FSTYC9055D	74Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs June 2000
	FSYA9150D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs October 1998
	FSYC9055D	51Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs July 1999
	FSJ163D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 1999
	FSYC055D	49Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs July 1998
	FSYE430D	58Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs June 1999
	FSYA450D	56Kb / 8P	Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs March 1999

À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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