IXKC25N80C Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXKC25N80C Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

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Description	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

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IXKC25N80C Détails du produit

N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
   - high power dissipation
   - isolated mounting surface
   - 2500 V electrical isolation
• 3rd generation CoolMOS™ 1) power MOSFET
   - high blocking capability
   - lowest resistance
   - avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
• Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Low drain to tab capacitance (<30 pF)

Applications
• Switched mode power supplies (SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
• Welding
• Inductive heating

Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density

Numéro de pièce similaire - IXKC25N80C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXKC20N60C	520Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKC20N60C	305Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKC23N60C5	290Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IXKC23N60C5	306Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Description similaire - IXKC25N80C

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
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	IXUC100N055	575Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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