SGM2014M Fiches technique(PDF)

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SGM2014M Fiches technique (PDF) - Sony Corporation

SGM2014M Datasheet PDF - Sony Corporation


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GaAs N-channel Dual Gate MES FET?

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Description	GaAs N-channel Dual Gate MES FET?

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SGM2014M Détails du produit

Description
The SGM2014M is an N-channel dual gate GaAs MES FET for UHF band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including TV tuners, cellular radios, and DBS IF amplifiers.

Features
• Low voltage operation
• Low noise: NF = 1.5dB (typ.) at 900MHz
• High gain: Ga = 18dB (typ.) at 900MHz
• Low cross-modulation
• High stability
• Built-in gate-protection diode
• Standard SOT-143 package

Application
UHF band amplifier, mixer and oscillator

Numéro de pièce similaire - SGM2014M

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sony Corporation	SGM2014	51Kb / 5P	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
Sony Corporation	SGM2014	57Kb / 5P	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
SG Micro Corp	SGM2014	569Kb / 11P	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
	SGM2014-1.5	569Kb / 11P	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators
	SGM2014-1.5YN5/TR	569Kb / 11P	Low Power, Low Dropout, 250mA, RF - Linear Regulators

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	SGM2014AM	51Kb / 5P	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
	SGM2014AN	57Kb / 5P	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
	3SK147	510Kb / 4P	GAAS N-CHANNEL DUAL-GATE MES FET
	3SK166A	72Kb / 5P	GaAs N-channel Dual Gate MES FET
	SGM2016AN	56Kb / 5P	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET
	SGM2016M	112Kb / 4P	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

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