STPSC406D Fiches technique(PDF)

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STPSC406D Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics

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No de pièce	STPSC406D

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Fabricant	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

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600 V power Schottky silicon carbide diode

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Description	600 V power Schottky silicon carbide diode

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STPSC406D Détails du produit

Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 600 V rating. Due to the Schottky construction no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

Features
■ No or negligible reverse recovery
■ Switching behavior independent of temperature
■ Dedicated to PFC boost diode

Numéro de pièce similaire - STPSC406D

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	STPSC40H12C-Y	257Kb / 10P	40 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode Rev 1 - January 2021

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	STPSC806D	96Kb / 7P	600 V power Schottky silicon carbide diode
	STPSC1206D	89Kb / 7P	600 V power Schottky silicon carbide diode
	STPSC2006CW	80Kb / 7P	600 V power Schottky silicon carbide diode
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STMicroelectronics	STPSC6H065	218Kb / 14P	650 V power Schottky silicon carbide diode
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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

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