BUT11 Fiches technique(PDF) - Transys Electronics

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NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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BUT11 Détails du produit

● Rugged Triple-Diffused Planar Construction

● 100 W at 25°C Case Temperature

● 5 A Continuous Collector Current

Numéro de pièce similaire - BUT11

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	BUT11	96Kb / 12P	Silicon diffused power transistors 1997 Aug 13
Power Innovations Ltd	BUT11	128Kb / 6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Wing Shing Computer Com...	BUT11	22Kb / 1P	NPN SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE POWER SWITCHING APPLICATIONS)
Fairchild Semiconductor	BUT11	42Kb / 4P	High Voltage Power Switching Applications
Bourns Electronic Solut...	BUT11	128Kb / 5P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR

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NEC	2SC3568	172Kb / 3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Seme LAB	BUW46	17Kb / 2P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
NEC	2SC2752	188Kb / 4P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Seme LAB	SDT96305	17Kb / 2P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
NEC	2SD1818	196Kb / 3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Transys Electronics	BUL791	873Kb / 6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Siemens Semiconductor G...	BU326A	69Kb / 3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Boca Semiconductor Corp...	2N3441	100Kb / 2P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Central Semiconductor C...	CZT5338	101Kb / 2P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
AUK corp	STD13003L	271Kb / 3P	NPN Silicon Power Transistor

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