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BF994S Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix
BF994S Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce BF994S
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Taille du fichier   119.03 Kbytes
Page   7 Pages
Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode

BF994S Datasheet (PDF)

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BF994S Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No de pièce BF994S
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
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Description N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode

BF994S Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix

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BF994S Détails du produit

Features

Integrated gate protection diodes

High cross modulation performance

Low noise figure

High AGC-range

Low feedback capacitance

Low input capacitance



Applications

Input- and mixer stages especially VHF TV-tuners.

 




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À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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