KMB6D0DN30QA Fiches technique(PDF)

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KMB6D0DN30QA Fiches technique (PDF) - KEC(Korea Electronics)

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Dual N-Ch Trench MOSFET

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Description	Dual N-Ch Trench MOSFET

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KMB6D0DN30QA Détails du produit

GENERAL DESCRIPTION
This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for portable equipment and DC-DC Converter Applications.

FEATURES
• VDSS=30V, ID=6A.
• Drain-Source ON Resistance.
RDS(ON)=28m Ω (Max.) @VGS=10V
RDS(ON)=42m Ω (Max.) @VGS=4.5V
• Super High Dense Cell Design
• High Power and Current Handing Capability

Numéro de pièce similaire - KMB6D0DN30QA

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
KEC(Korea Electronics)	KMB6D0DN30QA	62Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
	KMB6D0DN30QA	62Kb / 5P	Dual N-Ch Trench MOSFET
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