2SC1968 Fiches technique(PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

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2SC1968 Fiches technique (PDF) - Mitsubishi Electric Semiconductor

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No de pièce	2SC1968

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Fabricant	MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]

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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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Fabricant	MITSUBISHI [Mitsubishi Electric Semiconductor]

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Description	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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2SC1968 Détails du produit

DESCRIPTION
2SC1968 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers on UHF band mobile radio applications.

Numéro de pièce similaire - 2SC1968

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsubishi Electric Sem...	2SC1966	133Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC1967	209Kb / 5P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC1969	145Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications)
Inchange Semiconductor ...	2SC1969	219Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
New Jersey Semi-Conduct...	2SC1969	129Kb / 2P	Silicon NPN Power Transistor

Description similaire - 2SC1968

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsubishi Electric Sem...	2SC1967	209Kb / 5P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
New Jersey Semi-Conduct...	2SC1946A	252Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC1324	131Kb / 1P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC2098	192Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC3022	147Kb / 1P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Mitsubishi Electric Sem...	SC1968	129Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
Mitsubishi Electric Sem...	2SC1966	133Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
New Jersey Semi-Conduct...	2SC1946	240Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC2053	222Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
	2SC2098	83Kb / 2P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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