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PTCTZ Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

PTCTZ Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No de pièce PTCTZ
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Taille du fichier   83.04 Kbytes
Page   3 Pages
Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description SMD PTC Thermistors For Overload Protection

PTCTZ Datasheet (PDF)

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PTCTZ Datasheet PDF - Vishay Siliconix

No de pièce PTCTZ
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Fabricant  VISHAY [Vishay Siliconix]
Site Internet  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Description SMD PTC Thermistors For Overload Protection

PTCTZ Fiches technique (HTML) - Vishay Siliconix

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PTCTZ Détails du produit

• Compact resettable overload protection
• Low mounting height
• Suitable for reflow soldering
• Small ceramic diameter for faster response
• Low heat transfer to substrate
• Flat terminations for stable positioning and good
solderability




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À propos de Vishay Siliconix


Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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