IRFR4105Z Fiches technique(PDF)

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IRFR4105Z Fiches technique (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

IRFR4105Z Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


No de pièce	IRFR4105Z

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

Site Internet	http://www.iscsemi.cn

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N-Channel MOSFET Transistor

IRFR4105Z Datasheet (PDF)

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Fabricant	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Description	N-Channel MOSFET Transistor

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IRFR4105Z Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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IRFR4105Z Détails du produit

• DESCRITION
• High Speed Power Switching

• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤24.5mΩ
• Enhancement mode:
• 100% avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

Numéro de pièce similaire - IRFR4105Z

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFR4105Z	206Kb / 11P	Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR4105Z	1Mb / 11P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFR4105ZLPBF	335Kb / 11P	Advanced Process Technology
International Rectifier	IRFR4105ZPBF	267Kb / 11P	AUTOMOTIVE MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR4105ZPBF	4Mb / 11P	AUTOMOTIVE MOSFET

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À propos de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited est une société chinoise de semi-conducteurs fondée en 1997.

La société fournit une large gamme de produits, notamment des dispositifs d'énergie discrets et analogiques et des diodes pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Inchange est connu pour son accent sur la qualité et la fiabilité, et ses produits sont largement utilisés dans la gestion de l'alimentation, l'éclairage et d'autres applications.

La société a des opérations dans plusieurs pays et est l'un des principaux fournisseurs de dispositifs d'électricité et de diodes dans la région Asie-Pacifique.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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